工业AI2O3是白色松散的y—AI2O3结晶粉末，是生产AI2O3陶瓷的主要原料。工业AI2O3通常是采取碱式方法生产的，该工艺生产的工业AI2O3原料中一般含有少量的Na20等杂质。这些杂质往往使AI2O3陶瓷的体积电阻率降低，介质损耗显著增大。表3—6示出了AI2O3原料中Na、&杂质共存时，不同Na、Si杂质含量对AI2O3陶瓷tand的影响。

    从表3—6可见，原料中Na。0等杂质使AI2O3陶瓷材料的tand值显著增大。菪工业氧化铝中存在少量杂质siO，时，原料中siO：含量的提高可显著减弱或消除Nazo杂质对

A12Q陶瓷材料tan的有害影响。说明Na2()含量的高低不是决定A1。O。陶瓷材料tan d

的唯一因素，适当调整A120~陶瓷材料的配方，可以提高A1：q陶瓷材料的性能。表3 7

示出了A12()3陶瓷材料的配料中引入不同杂质对性能影响的对比实验情况。

    N赴O对AkQ陶瓷tan的有害影响是由于在烧成过程中Na2()与A12U发生反应形成了p A12q(Na20·11A12q)。p A12鸭是由少数A'9 A1键把“尖晶石基块”连接起来的层状结构。该结构中的Na一处于“尖晶石基块”间由少数A1一O--A1键支撑起来的空旷的空间内。在电场作用下，Na-在“尖晶石基块”问的空旷地带沿电场方向可较自由地迁移，使口一A12(b呈现出较强的离子电导特性，导致口一Al。O。呈现冉明显的电导损耗和离子松弛损耗。可见，Al。Q陶瓷中形成口一A1203是导致A1203陶瓷的tand显著提高的原因。

    若按将A1203陶瓷的配料简化为Na20-Al~嘎二元系，则Al。(=)3瓷料中口A120a的生成量为

    (Na20·11A12()3的生成量÷Na20相对分子质量)×Na20的含量

    一(1 192．54÷71_98)×N一16．6 N

即1％Na20可形成16．6％的Na20·11A12()3。当AI~03原料中含有少量的Na20杂质时．由少量Naz0杂质所形成的口一A12()3可对A12()3陶瓷的性能造成较大的影响。因此，对A12q陶瓷的性能要求很高时，必须对AlzO~原料所含的杂质种类和含量进行严格的控制，如对原料进行必要的处理，以除去有害的杂质。实践证明，在含有Na。()的A12(b原料在配方设计时采取加入适量的s·02和CaO可有效地减弱或消除口一AI~03对电性能的有害作甩，使瓷体的tan6值有所降低。

  表3—8为a—A12鸭，7-A12【X及Nap A12q和Ca口一A12n(CaO·6A12q)的晶格参数、相对密度和折射率。从表中的数据可知Ca卢一A12Q的c轴较Nap—Al。O：的c轴短很多，表明Ca口A120a中的ca”在“尖晶石基块”问被压得较紧。

由表3—8可知，3,-Al，O，经般烧转化为口一ALQ时伴有约14％的体积收缩。以y一