据山东章丘市隆鑫刚玉制品有限公司的技术人员王工程师介绍，电容器陶瓷材料主要用来制造在各种条件下应用的电容器。根据国家标准的规定，这类陶瓷材料分为I类电容器陶瓷介质、Ⅱ类电容器陶瓷介质和Ⅲ类电容器陶瓷介质。王工程师对这三种电容陶瓷做了具体的介绍：
　　I类电容器陶瓷介质主要用来制造高频陶瓷电容器。根据陶瓷材料的性能和应用要求，可具体分为两种类型电容器陶瓷介质。①高频稳定型电容器陶瓷介质。主要用来制造用于精密电子仪器等的陶瓷电容器，要求电容器的电容量温度系数小，以保证精密电子仪器等正常工作。②热补偿型电容器陶瓷介质。主要用来制造用于高频震荡回路等高频电路的陶瓷电容器，要求这种电容器陶瓷介质具有较大的负电容温度系数，以补偿电感等其他元器件工作时性能的正温度系数变化，提高整机工作的频率稳定性等。
　　l类电容器陶瓷介质的代表性陶瓷材料有金红石陶瓷、钛酸钙陶瓷、钙钛硅陶瓷等。
　　Ⅱ类电容器陶瓷介质又称为低频电容器陶瓷介质。主要用来制造电子线路中的旁路、耦合电路、低频及其他对电容量温度稳定性和介质损耗要求不高的电容器。要求这类陶瓷材料具有大的介电系数，介电系数与电场为非线性关系。代表性陶瓷材料有BaTi03陶瓷和SrTi()3陶瓷等。
　　Ⅲ类电容器陶瓷介质又称为半导体陶瓷介质。主要以来制造用于较低电压下工作的大电容量、小体积的电容器。要求这类电容器陶瓷介质具有介质层极薄、介电系数大、介电系数的温度变化小等性能。根据其结构特点分为三种：①表面层型，也称为氧化层型，是指在半导体陶瓷的表面经过氧化处理形成极薄的绝缘层为介质的半导体陶瓷介质。②阻挡层型．是利用半导体陶瓷的表面与电极形成的接触势垒薄层为介质的半导体陶瓷介质。③晶界层型，也称为BL型，是利用半导体陶瓷中的半导体晶粒间的绝缘晶界层为介质的半导体陶瓷介质。这种半导体陶瓷的半导体晶粒与极薄的绝缘品界层相比，可认为半导体晶粒为电极，极薄的绝缘晶界层为介质，这种半导体陶瓷电容器可等效为很多小电容器的并联和串联。
　　由于三种介质分别为极薄的表面绝缘薄层、极薄的接触势牟层和极薄的绝缘晶界层，因此这Ⅲ类陶瓷电容器的介电系数非常大，所以与I类陶瓷电容器和Ⅱ类陶瓷电容器相比，同样的电容量它的几何尺寸日'非常小。Ⅲ类电容器陶瓷介质的代表性陶瓷材料有BaTi03半导体陶瓷和SrTi03半导体陶瓷。
　　此外，王工程师还对独石陶瓷电容器和“片式”陶瓷电容器和反铁电陶瓷电容器介质等做了详细的介绍，这里不一一进行累述。

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